[stack#049] 에피 웨이퍼 · 판 — 다 만든 판 위에 왜 같은 실리콘을 한 겹 더 키울까요?

다 만든 판 위에, 왜 같은 실리콘을 한 겹 더 키울까요?

패인 도로는 다 걷어 내지 않고, 위에 새 아스팔트를 한 겹 덮죠.

판은 녹인 실리콘에서 키운 덩어리를 썰어 만들고, 키울 때 속에 작은 빈틈이 생기기도 합니다.

녹인 실리콘에서 키운 이 덩어리를 잉곳이라고 부릅니다.

키울 때 속에 생긴 결함을 grown-in 결함이라고 부릅니다.

빈틈이 겉에 드러난 자리에 스위치를 만들면, 얇은 막이 약해져 전기가 샙니다.

스위치 속 얇은 막은 게이트산화막이라고 부릅니다.

그럼 겉을 더 깊이 갈아 내면?

빈틈이 속 곳곳에 있어 또 드러납니다.

판은 잉곳을 절단하고 랩핑 · 에칭 · 연마를 거쳐 마감합니다.

그래서 아래 판을 그대로 이어, 실리콘을 한 겹 더 키워 빈틈을 덮습니다.

이 판이 에피 웨이퍼입니다.

에피 웨이퍼는 프라임 웨이퍼 위에 고온 CVD로 단결정 실리콘 층을 성장시킨 판입니다.

이 층은 기판의 grown-in 결함을 묻고 결함밀도가 낮은 청정 표면층이 됩니다.

에피층의 결함은 소자 누설과 수율을 좌우합니다.

빈틈은 갈아도 드러나니, 판을 그대로 이어 깨끗한 층을 키웁니다.

결국, 빈틈은 갈아도 드러나니 판을 그대로 이어 깨끗한 층을 키운다.

이미지 AI 생성 · 개념도

출처

· Epitaxial wafer. Wikipedia.

https://en.wikipedia.org/wiki/Epitaxial_wafer

· Epitaxy. Wikipedia.

https://en.wikipedia.org/wiki/Epitaxy

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